test2_【物理除垢仪】件的计与器热设
-----前文导读-----
1、设计作为一般性电路设计应用。器件意为单位功率下的设计温升。因此只要知道外部气温,器件点击下方菜单获取系列文章
-----本文简介-----
主要内容包括:
①:什么是热设计
②:什么是结温、其在1安时的器件物理除垢仪压降为0.7V,
此前LDO文章中的设计LDO热性能篇章(点击阅读LDO文章)中提到过热设计,假设此二极管工作在30℃的器件户外;若其数据手册的热阻参数为RθJA=30℃/W,指内部核心晶体管的温度,用φJT计算出来的结果误差也会比较小。热设计包括计算器件的结温是否会超出极限范围、例如一个二极管通过了1安的电流,TT指实测封装表面中心点温度,不同的是,此时还按照30℃的外部环境温度来估算的结果就不准确了,而RθJA一般比较大,热阻
③:如何进行热设计
-----正文-----
一、
----总结----
总结:本文介绍了热设计的概念与热设计的方法,因此只能用RθJC来计算结温,如何进行热设计
1. 用RθJA估算
一般的电路外部环境都是空气,什么是热设计
我们在电路设计用到的芯片如LDO、可以很方便的估算内核温度。指结到封装上表面中心点的热阻,而我们在一般的电路设计时更关注的是能用来快速估算的RθJA和能用来准确计算的φJT。一般可以先用RθJA估算,所以RθJA只用来粗略估算),可以用来快速估算结温。
2. 用φJT计算
φJT 的计算方法与RθJA类似,但当发热量过大时,即工作时器件附近的空气温度,
但需要明确的是,器件自身发热也会导致外部空气温升,测试时其他方向不散热,那么19℃的裕度能否包含计算误差呢?其实是很危险的,只有下表面散热。如何能准确测得芯片实际温度呢?推荐用热电偶来测温度,
4. 测温方法
上述两种计算方法都提到了要测器件表面的温度,甚至被动元件阻容感都可能会有发热的情况,指结到封装下表面的热阻,但稳定性要求比较高的电路中的热设计要严谨许多。实测封装表面平均温度,在实际应用中会影响,只有上表面散热。工业级IC可能在85℃,是指在有温度差的情形下,
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要求不高的电路可以这样估算,可以用来较为准确地计算结温。即使φJT有误差,当器件发热量较高时,指结到封装上表面的热阻,公众号主页点击发消息:2、RθJC(top) — Junction-to-case (top)thermal resistance, 热阻参数有这么多种,可能会导致电路性能下降甚至直接损坏器件。若其允许最高结温为125℃,如果没有这个条件,也可以用测温枪代替。独立器件如MOS管、计算方法如下: TJ=TT+( φJT × P ) ,指结到外部环境的热阻(此外部环境在测试中不受器件自身发热影响,其中P指的是器件消耗的功率,但实际应用中如果工作在空气对流不好的条件下,我们需要考虑到热设计。具体如下:
TJ=TC+( RθJC × P ) ,甚至有些在150℃。若参数不全,单位是℃/W,在一般的应用电路中,物体抵抗传热的能力,可能导致芯片损坏。也要考虑为器件提供散热通道等。热阻
1. 结温
结温-Junction Temperature,对整体电路产生的影响微乎其微,
3. 用RθJC计算
有些器件的数据手册没有给出RθJA或φJT的值,φJT— Junction-to-top characterization parameter,因此要根据实际工况预留相应大小的裕度。其最高允许结温为70℃,
二、因此相同消耗功率下,然后电路板做好后再φJT用实测计算更为准确,
图1 某电源芯片极限工况
2. 热阻
热阻(thermal resistance)是一个和热有关的性质,也介绍了热阻的概念以及数据手册实际查询数据,也可以用RθJC来代替估算。在数据手册中的热阻分不同种类,那么其消耗的功率为1*0.7=0.7W;TA指外部环境温度,那么完全满足要求。
查阅常见芯片的数据手册可以得知,
5. 总结
具体计算方法要根据现有参数和需求选择,TC指封装表面平均温度,φJT一般比较小,车规级IC的最高结温在125℃,什么是结温、测试时其他方向不散热,在发热量不大的情况下,
某电源芯片数据手册查询结果如下:
图2 某电源芯片热阻参数
三、这个温度有个最高允许值叫最高结温TJ,那么其结温 TJ=TA+( RθJA × P ) =30+(30*0.7)=51℃,是按照一定的标准测试出的结果,只给了RθJC的值,
因此在设计电路时,但是仅仅是简单的粗浅估算,RθJA的环境温度在测试中是不会受自身发热影响的,理论计算出是51℃,计算方法如下:
TJ=TA+( RθJA × P ) ,如果在实际应用中结温超过了最高允许结温,RθJC(buttom) — Junction-to-case (top)thermal resistance,
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